术语表

一种

激活退火

类别:过程

在将杂质(异种元件)注入基板后,为了产生半导体层,使用热处理来回收破碎的晶体结构并电激活它。

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激活

类别:过程

植入离子注入过程中的离子是无活性的,因为它们不与半导体中的原子晶体对齐。由于晶体缺陷,还需要修复晶格。活化是使用热量来调节晶格并激活这些离子的过程。

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退火

类别:过程

制造半导体器件所需的各种热处理。

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B.

批处理

类别:应用程序

一种将多个晶片放在石英船或类似装置上并一起加工的方法。这适用于大批量生产少量产品。为了保证批量生产的均匀性,有必要采用一种保持气体和温度分布均匀的技术。

C

化合物半导体

类别:应用程序

由周期表中III-V族和II-VI族的多种元素组合而成的半导体材料,如砷化镓、GaN、CdTe和SiC。

接触退火

类别:过程

当金属与半导体接触时,可能会形成肖特基势垒二极管,导致电流仅朝一个方向流动。需要热处理使接触面合金,使电流双向流动。
这种情况称为欧姆接触。

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固化

类别:过程

固化是指某些作用(热、化学添加剂、光等)促进单体的聚合反应或聚合物的交联反应。该单体或聚合物随后被称为已固化。

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D.

脱氢(FPD)

类别:过程

在LTPS(低温多晶硅)过程中,形成a-Si薄膜,进行激光退火,薄膜被聚硅化。由于a-Si层中含有的氢对薄膜造成损伤,在激光退火前进行热处理以降低氢组分浓度。

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F

扇出晶圆

类别:工件

树脂基板在Fowlp(扇出晶圆封装)制造过程中处理。Fowlp是一种普通术语,用于在芯片尺寸外形成重新布线层。与传统包装相比,它可用于缩小/薄封装。

火焰光度

类别:应用程序

FPD是Flat Panel Display的缩写。薄显示器,如有机EL (OLED)或液晶显示器。

熔块发射(FPD)

类别:过程

一种捏合玻璃颗粒,树脂,溶剂等的方法以产生玻璃浆料,通过印刷方法将基材与该玻璃浆料涂覆,然后烧制它。用于连接,密封和涂覆电子元件。

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G

砷化镓晶片

类别:工件

使用镓(Ga)和砷(As)组成的化合物作为材料的晶圆片。与硅相比,它具有较低的强度和较昂贵的价格,但由于其高电子迁移率,它可以用来生产高速半导体器件,低功耗。也用于led和激光器的衬底。

搬运工

类别:过程

衬底中的一些杂质可能会对LSI的性能产生不利影响。该方法利用衬底的晶体特性等来收集这些杂质。

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H

大规格盘管加热器

类别:设备有效

加热器具有优异的高温耐久性,使用一个大规格线圈和间隔器的组合。理想的应用与重复高温处理高达1250°C,如扩散炉。

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氧化物高温

类别:过程

使用二氯硅烷(SiH)在高温(约900°C)低压下形成的栅氧化层2CL.2氧化亚氮(n2o)气体作为原料。

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水平炉子

类别:设备有效

具有水平腔室的炉,如石英玻璃管,其中多个用于半导体,太阳能电池等的硅晶片可以在高温下进行热处理,或者在晶片上沉积任何膜。

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一世

IGBT

类别:应用程序

绝缘栅双极晶体管的缩写。一种功率半导体。其输入为MOSFET结构,输出为双极结构。它具有较高的开关速度和较低的通断电阻。

杂质扩散

类别:过程

一种通过加热硅来扩散磷和硼等杂质的方法,这个过程通常被称为热扩散。这种方法也被称为离子注入,因为杂质被直接电离并注入到晶圆中。在这种情况下,离子注入后需要激活退火。这两种方法常用于形成PN结。

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L.

灯退火

类别:设备有效

使用诸如卤素灯的光作为热源的热处理系统。由于它只加热工件而不加热大气,所以可以进行快速升温和降温的处理。

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大孔立式炉

类别:设备有效

在FPD场中为大型玻璃基板开发的烘焙炉。玻璃基板尺寸为2.5或更多。通过跟随用于半导体器件的垂直炉的结构,玻璃基板安装在大型石英玻璃管内,然后在高温下加热以实现任何退火处理。

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轻型过弯加热器

类别:设备有效

采用轻型导线加热元件的加热器,与陶瓷纤维保温材料集成在一起,采用我们独特的真空成型工艺形成坚实的结构。由于只储存少量的热量,即使在低温和温度快速上升或下降时,它们也可以高精度控制,并具有优良的温度跟随性。

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低应力硅氮化物

类别:过程

由于氮化硅薄膜通常处于高应力下,会出现裂纹和翘曲。因此,使用氮化膜来降低应力。用于MEMS(微机电系统)等器件中松弛薄膜应力。

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低温氧化

类别:过程

一种LPCVD。
它使用sih.4.和O2作为原料在减压下在低温(约400℃)下形成氧化膜。用作层间绝缘膜等。

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低温湿氧化

类别:过程

一种将晶片插入化合物半导体的方法,例如GaAs进入在500℃或更低的相对低温的石英管中,将蒸汽注入管中,然后将晶片氧化。用于VCSEL的光圈形成过程。

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LPCVD.

类别:过程

低压化学气相沉积的缩写。一种沉积和形成多晶硅(Poly-Si)和氮化硅的方法(Si3.N.4.)薄膜在几十只PA的低压下。

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m

微机电系统

类别:应用程序

MEMS是Micro Electro-Mechanical Systems的缩写。在硅和玻璃上制造微米级精密机械结构和电子电路的器件。最近又出现了一种将机械结构与电子电路相结合的多芯片式模块。

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钼iliicidere加热器

类别:设备有效

使用二硅化钼作为加热元件,它适用于重复高温处理高达1400°C的应用。它具有优异的耐热性能,并能快速加热。

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N.

N.2装载锁定

类别:设备有效

N.2净化室安装在基板传输区域中。当基质被转移到该室中以抑制形成天然氧化膜时,它用于降低大气中的氧气浓度和水分。

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O.

有机发光二极管

类别:应用程序

有机发光二极管(OLED)是由两个导体之间的一系列有机薄膜组成的一种设备,它能响应电流发出光。因为它能自发发光,所以它不需要背光。它也比液晶显示器更薄,能耗更低。

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Ormic联系

类别:应用程序

一种接触界面具有无论电流方向或电压大小,电阻值都不变的特性,且电压、电流、电阻三者之间的关系遵循欧姆定律。例如,半导体器件(如晶体管、二极管和集成电路)的电极是欧姆触点。

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烤箱

类别:设备有效

热处理设备的一般术语。在我们的设备中,它是指热空气循环式加热设备。

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氧氮化物

类别:过程

使用否或n的方法2形成一层离子薄膜。在栅氧化膜的界面中引入氮有助于提高界面水平。

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P.

p型文章

类别:过程

通过在沉积多晶硅时注入膦(pH3)气体和掺杂磷来获得的多晶硅膜。用于与电极布线接触。

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《行动纲领》(氧化退火后)

类别:过程

在形成MOSFET的栅极氧化膜时,为了在主氧化过程之后进行改革的目的进行退火。

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聚合

类别:应用程序

聚酰亚胺是含酰亚胺聚合物的通用术语。它具有耐热性和耐化学性,并用于恶劣环境中的工业应用。例如,它用于用于半导体的保护膜和绝缘材料,用于保护衣物的纤维,以及耐热胶带。

聚酰胺固化

类别:过程

一种将用作半导体保护膜或绝缘材料的聚酰亚胺薄膜在大约200°C至400°C加热并固化的方法。

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Poly-Si.

类别:过程

用单硅烷(SiH4.)高温下低压下的气体(约650℃)。通常用于栅电极。

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功率半导体
电源设备

类别:应用程序

功率半导体是一种半导体,执行电气任务,如绝缘,导电,放大,整流和频率转换。近年来,SiC和GaN被用作新一代材料,以降低高电压下的功率损耗。

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火成的oxideation

类别:过程

一种热氧化方法,其使用在氢气和氧气燃烧中产生的水蒸气形成在诸如硅的半导体材料上的氧化物膜。

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R.

快速冷却

类别:设备有效

用鼓风机风扇向加热器发送空气的系统并力冷却炉子以便快速冷却炉子的内部。

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研究与开发(R&D)

类别:应用程序

探索累积和新技术的发展,寻找未来的新价值的活动。

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S.

蓝宝石晶片

类别:工件

蓝宝石是一种高硬度、耐腐蚀、耐热的透明材料。它用于发光二极管和半导体激光器等光学器件。

半导体制造流程/后端

类别:应用程序

这也被称为包装过程。将上一步生产的IC芯片与晶圆分离,通过重新布线(如线键合)和树脂密封来生产IC封装的工艺。

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半导体制造工艺/前端

类别:应用程序

又称晶圆加工步骤。在晶圆表面形成半导体器件的过程中,使用了几种热处理方法,如氧化、扩散和CVD。

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硅晶片

类别:工件

晶圆从高纯度硅的锭切割。它形成了半导体的基础。热处理设备可用于在高温下将杂质引入其中并形成绝缘膜以产生半导体元件(IC和LSI)。

SiC晶圆

类别:工件

晶圆从SiC的锭切割。它通常用于功率半导体,并且仅比单独的硅更高的温度和更高的速度操作。其制造方法比硅更困难且昂贵。

氮化硅

类别:过程

氮化硅薄膜,用作MEMS的保护膜。在LPCVD中,薄膜通常是由硅烷基气体如二氯硅烷(SiH)反应形成的2CL.2)和氨(NH3.)高温下的高温下的气体。

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单晶片处理

类别:应用程序

一种处理方法,其中与批量处理相比,仅在一个基板上执行一个基板,其中在块状中处理了十几十个基板。这适用于在短时间内产生少量的线。而且,由于基板被一个接一个地处理,因此可以进行详细的控制。在需要快速升温和精细气氛控制的过程中,即使在批量线路上也需要单晶片加工。

烧结/合金

类别:过程

在溅射诸如铝的金属膜之后进行的退火处理。该处理通常在氢气氛中进行,并且是通过用硅的接触表面来进行的,获得欧姆接触。

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太阳能电池/太阳能组件/光伏发电

类别:应用程序

一种利用阳光和光伏效应将光能转化为电能的能量转换元件。它是由主要含有硅的半导体制成的。其他包括CIGS复合太阳能电池使用Cu, In, Ga, Se和S, CdTe太阳能电池。

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T.

Tetraethoxysilane

类别:过程

在LPCVD中沉积SiO2时使用。因为它是一种液体物质,所以需要一个特殊的汽化器。
它的特点是流动性和优异的覆盖范围。

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热oxideation

类别:过程

一种将半导体材料(如硅片)暴露在氧化气氛(如氧气或水蒸气)中的高温下形成氧化膜的方法。该方法包括干氧化法和热生氧化法。

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薄晶圆

类别:应用程序

一种比SEMI标准、日本工业标准(JIS)和美国试验与材料协会(ASTM)规定的每个晶圆直径厚度更薄的晶圆片。常用于电力设备。

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V.

垂直腔面发射激光器

类别:应用程序

垂直腔(或谐振器) - 型表面发射激光。这通常称为vcsel。与传统的水平谐振器类型不同,电压可以应用于晶片状态的芯片,可以通过激光振荡而较少的镜面损耗来执行产品的激光检查,并且它具有低功耗。此外,它能够实现二维阵列的多光束合成。

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立式炉

类别:设备有效

一种带有垂直腔室(如石英玻璃管)的炉,在那里可以对用于半导体等的多个硅晶圆进行批量加工,以进行高温热处理或在晶圆上沉积任何薄膜。

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